대한민국

계측

KLA의 계측 시스템은 설계의 제조 가능성을 검증하고, 새로운 공정의 특성을 분석하며, 대량 생산 공정을 모니터링하는 것과 같은 다양한 칩 및 기판 제조 응용분야에 활용됩니다. 칩 제조업체들은 패턴 치수, 박막 두께, 레이어간 정렬, 패턴 배치, 표면 토포그래피 및 전기광학 특성에 대해 정확한 측정을 제공하는 KLA의 포괄적인 계측 시스템 세트를 통해 공정을 빈틈없이 관리하여 소자 성능과 수율을 향상할 수 있습니다.

Archer™

오버레이 계측 시스템

Archer™ 750 오버레이 계측 시스템은 첨단 기억소자 및 로직소자의 빠른 기술 향상과 안정적인 생산을 위해 제품상의 오버레이 오류에 대한 정확한 피드백을 제공합니다. 10nm 분해능의 파장 조정 기능을 통해 생산 공정 변동이 있는 곳에 정확하면서도 견고한 오버레이 오류 측정 값을 제공합니다. 주로 산란계측 기반 시스템에서만 가능했던 생산성 수준을 갖춘 Archer 750 이미징 기반 오버레이 시스템은 인라인 모니터링을 위해 고차 스캐너 교정 및 높은 처리량에 대한 확대된 표본 추출을 지원합니다. 첨단 알고리즘과 신규 rAIM® 오버레이 표적 설계를 통해 표적과 소자 오버레이 오류 간의 상관 관계를 개선하여 리소그래피 엔지니어가 소자 오버레이 성능을 정확하게 추적할 수 있도록 지원합니다.

ATL™

오버레이 계측 시스템

ATL100™(고정밀 가변 레이저) 산란 분석법 기반 오버레이 계측 시스템은 ≤7nm 설계 노드에서 개발 및 양산을 위한 오버레이 제어 기능을 제공합니다. 1nm 분해능과 실시간 Homing™이 결합된 가변 레이저 기술은 생산 공정 변동이 있는 곳에서 높은 오버레이 정확도를 유지합니다. ATL100은 인다이 및 소형 피치 등의 다양한 산란 분석법 오버레이 측정 표적 설계를 지원하여 상이한 공정 층, 소자 유형, 설계 노드, 패터닝 기술에 대한 정확한 오버레이 오류 측정을 가능하게 합니다.

Axion®

엑스레이 임계 치수(CD) 및 형상 계측 시스템

Axion® T2000 엑스레이 치수 계측 시스템은 첨단 3D 낸드 및 DRAM 반도체 칩에 사용되는 높은 종횡비 구조의 빠르고 정확하고 정밀하며 비파괴적인 고해상도 3D 형상 측정을 합니다. 혁신적인 엑스레이 기술을 Axion T2000은 기억소자 성능 및 수율에 영향을 줄 수 있는 미세한 구조적 변화(굽혀짐, 활처럼 휘어짐, CD 프로필, 식각 깊이, 타원율, 기울어짐 등)를 식별합니다. Axion T2000은 인라인 비파괴 측정을 통해 기억소자 제조업체가 연구개발 기간 중에 빠른 학습 주기를 달성할 수 있도록 지원하며, FIB-SEM, TEM, 단면 SEM과 같이 지연 시간이 긴 파괴적인 방법을 대체할 수 있습니다. 또한 Axion T2000은 양산 중에 주요 공정 단계를 특성화, 모니터링 및 제어하는 데 사용되며, 문제를 신속하게 식별하고 해결하여 안정적인 생산을 유지합니다.

SpectraShape™

광학 임계 치수(CD) 및 형상 계측 시스템

SpectraShape™ 11k 차원 계측 시스템은 finFET의 3D 형상 및 임계 치수(CD), 수직 적층 NAND 및 DRAM 구조와 첨단 설계 노드 내 집적 회로 상의 기타 복잡한 형상을 모니터링하고 완전히 특성화하는데 사용됩니다. SpectraShape 11k는 광학 기술과 특허 받은 알고리즘의 상당한 발전을 통해 다양한 공정 층에서 주요 소자 변수(임계 치수, 높은 유전율 및 메탈 게이트 리세스, 측면각, 감광재 높이, 하드마스크 높이, 피치 워킹)의 미묘한 변화를 식별합니다. 개선된 스테이지와 새로운 측정 모듈을 통해 높은 처리량 작업을 가능하게 하는 SpectraShape 11k는 인라인에서 공정 문제를 신속하게 파악하여 반도체 공장들이 수율 개선을 가속화하고 안정적인 생산을 달성할 수 있도록 지원합니다.

SpectraFilm™

박막 계측 시스템

SpectraFilm™ F1 박막 계측 시스템은 광범위한 박막 층에 대한 고정밀도의 박막 측정을 제공하여 7nm 이하 로직 및 첨단 메모리 설계 노드에서 엄격한 공정 허용 오차를 달성합니다. 고휘도 광원으로 구현하는 분광 타원 편광 분석법 기술은 밴드갭을 정확하게 측정하는 데 필요한 신호를 제공하고, e-test를 실행하기 몇 주 전에 전기 성능에 대한 통찰력을 제공합니다. 새로운 FoG™(Films on Grating) 알고리즘은 소자와 같은 유사한 격자 구조에서 박막을 측정할 수 있도록 하여, 측정값과 소자 간의 상관관계를 증대시킵니다. 처리량이 증가하면서 SpectraFilm F1은 생산성이 높아져 첨단 소자 제조 기술과 관련된 더 많은 수의 박막 층을 지원합니다.

Aleris®

박막 계측 시스템

Aleris® 박막 계측 시스템은 32nm 노드 이상에서 박막 두께, 굴절률 계수, 응력 및 조성을 안정적이고 정밀하게 측정할 수 있도록 합니다. 광대역 분광 타원 편광 분석법(BBSE) 기술을 활용하는 Aleris 박막 계측 시스템은 종합적인 박막 두께 측정 및 계측 솔루션을 구성하여 반도체 공장에서 광범위한 박막층을 검증하고 모니터링할 수 있도록 지원합니다.

PWG™

패턴 웨이퍼 기하구조(PWG) 계측 시스템

PWG™ 패턴 웨이퍼 계측 플랫폼은 첨단 3D 낸드, DRAM 및 논리소자 제조업체를 위한 전체 웨이퍼 밀집 형상, 포괄적인 웨이퍼 평탄도 및 양면 나노 지형학 자료를 생성합니다. 고분해능 및 고밀도 표본 추출 기능을 가진 PWG5™는 응력으로 인한 웨이퍼 형상 변화, 웨이퍼 형상으로 인한 패턴 오버레이 오류, 웨이퍼 두께 변형, 웨이퍼 전면 및 후면 지형을 측정합니다. 업계 최고의 동적 범위를 자랑하는 PWG5는 첨단 3D NAND 소자의 96 개 이상의 적층 가공에 사용되는 증착 공정으로 인한 웨이퍼 휘어짐과 응력에 대한 인라인 모니터링과 제어를 지원합니다. PWG5는 공정이 유발한 웨이퍼 형상 편차를 그 근원으로부터 알아낼 수 있으므로, 웨이퍼의 재작업, 프로세스설비의 재교정, 또는 스캐너에 측정 결과를 제공하기 위한 KLA의 5D Analyzer® 데이터 분석 시스템과의 통합을 통해 제품의 OPO(on-product overlay)를 개선하고 전체적인 소자 수율을 향상시킬 수 있습니다.

Therma-Probe®

임플란트 계측 시스템

Therma-Probe® 이온 임플란트/어닐링 계측 시스템은 첨단 설계 노드 소자 및 복합 반도체 소자를 포함한 다양한 반도체 기술에 대한 인라인 임플란트 용량 모니터링을 가능하게 합니다. Therma-Probe 680XP 및 780은 이온 임플란트 용량과 프로파일, 임플란트 및 어닐링 균일성, 범위 손상 여부에 대한 중요한 공정 정보를 생성합니다. 또한, Therma-Probe 시스템의 고해상도 마이크로 균일성 맵은 임플란트 및 어닐링 공정 개발을 위한 지문 인식 기능을 제공합니다.

CAPRES microRSP®

Micro-Scale 면저항 탐침

CAPRES A301 microRSP® 계측 시스템은 기존의 거시적 탐침에 사용되는 신뢰할 수 있는 입증된 4점 기술을 기반으로 하며, 오프라인 테스트 웨이퍼 저항 계측에서 인라인 제품 웨이퍼 면저항 특성화로 간단하게 전환할 수 있습니다. CAPRES A301 microRSP는 캔틸레버 폭이 500nm에 불과한 규격을 준수하는 미세 가공 전극 어레이를 사용하여 300nm 제품 웨이퍼 스크라이브 라인의 길이 척도에서 작동하는 최초의 비파괴 저항 측정 도구입니다. 전자동 CAPRES A301 microRSP 기본 제품은 300mm 블랭킷과 제품 웨이퍼 모두에서 면저항을 수행하는 데 사용되며, 추가 측정 성능 및 기능을 위해 아래의 관련 제품 섹션에 정의된 대로 다르게 구성할 수도 있습니다. 또한 200mm CAPRES microRSP 제품도 제공됩니다.

CAPRES CIPTech®

전기/자기 특성 계측

CAPRES A301 CIPTech® 및 CAPRES M300 CIPTech® 계측 시스템은 MRAM, STTRAM, 자기 기록 헤드 및 자기 센서 응용분야와 관련된 영역에서 블랭킷 MTJ(자기 터널 접합) 스택에 매우 중요한 MR & RA(자기 저항 및 터널링 저항)를 직접 측정합니다. IBM에서 라이선스를 취득한 CIPTech®(Current In-Plane 터널링 기술)는 이전 기술에 비해 전례 없는 측정 속도와 획기적인 비용을 제공하며 시간을 절감할 수 있습니다. CAPRES의 독점적인 nano-MEMS 탐침 기술과 결합하면 전자동 CAPRES A301 CIPTech 시스템 및 반자동/수동 CAPRES M300 CIPTech 시스템을 통해 300mm의 전체 웨이퍼 또는 샘플 조각에서 MTJ 특성을 신속하고 효과적이며 비파괴적으로 측정할 수 있습니다 MTJ 표면은 12개의 미세한 캔틸레버 전극이 있는 새로운 다중 지점 접촉 탐침으로 측정되며, CIPTech는 CAPRES 다중 지점 측정에서 직접 MR 및 RA를 자동으로 추출하는 데 사용됩니다.

MicroSense® PKMRAM

MRAM용 300mm 준비된 비접촉 자기 특성 계측 시스템

MicroSense® PKMRAM 시스템은 극성 자기 광학 커 효과(MOKE)를 활용하여 수직 MRAM 개발 및 제조에 사용되는 다층 웨이퍼의 자기 특성에 특징을 부여합니다. 비접촉 전면 웨이퍼 측정 기술을 활용하는 이 시스템은 최대 300mm까지 전체 웨이퍼의 자기 특성 맵을 생성합니다. 이 시스템은 수동 로딩 또는 전자동 구성으로 모두 제공되어 연구개발 및/또는 생산 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 다른 MicroSense 자기 계측 설비와 마찬가지로 특허받은 직접자기장제어 기법을 사용하는 MicroSense PKMRAM 시스템은 고자기장 역량과 저자기장 분해능을 제공해 단일 시스템 내 자유 및 고정 층 특성에 특징을 부여합니다.

MicroSense® KerrMapper

종방향 자기광 커 효과(Magneto-Optic Kerr Effect; MOKE) 시스템

MicroSense® KerrMapper 설비 제품군은 종방향 자기광 커 효과(MOKE)를 사용하여 데이터 스토리지, MRAM 및 기타 자기 센서를 위한 자기 다층 웨이퍼의 자기 특성에 특징을 부여합니다. MicroSense® KerrMapper S300 및 V300 시스템은 비접촉 전면 웨이퍼 측정 기술을 활용하여 전체 웨이퍼의 자기 특성 맵을 생성합니다. 두 시스템 모두 수동 로딩 또는 전자동 구성으로 제공되어 연구개발 및/또는 생산에 사용됩니다. MicroSense 자기 계측 설비의 독점적인 직접 필드 제어 기법을 사용하는 MicroSense® KerrMapper 시스템은 높은 필드 기능과 낮은 필드 분해능을 제공하여 단일 시스템 내에서 자유 및 고정 층 특성에 특징을 부여합니다.

OmniMap® RS-200

면저항 측정 시스템

OmniMap® RS-200 저항도 매핑 시스템은 입증된 산업 저항도 매핑 표준을 기반으로 45nm 이상에서 정확하고 신뢰할 수 있는 면저항 측정을 제공합니다. 이 저항도 매핑 시스템은 첨단 자동화, 향상된 에지 성능과 같은 기능을 제공하여 오늘날의 300mm 웨이퍼 생산 요구 사항을 충족합니다.

CIRCL™

앞면 웨이퍼 결함 검사, 계측 및 리뷰 클러스터 시스템

CIRCL™ 클러스터 도구에는 4개의 모듈이 있으며, 모든 웨이퍼 표면을 덮고 프로세스 제어를 효율적으로 수행하기 위해 처리량이 높은 병렬 데이터 수집 기능을 제공합니다. 최신 CIRCL5 시스템을 구성하는 모듈에는 앞면 웨이퍼 결함 검사, 웨이퍼 에지 결함 검사, 프로필, 계측 및 리뷰, 뒷면 웨이퍼 결함 검사 및 검토, 앞면 결함의 광학적 검토 및 분류 등이 포함됩니다. 하나의 측정 결과를 사용하여 클러스터 내에서 다른 유형의 측정을 트리거하는 혁신적인 접근 방식인 DirectedSampling™에 의해 데이터 수집이 제어됩니다. CIRCL5의 모듈식 구성은 다양한 공정 제어 요구 사항에 대한 유연성을 제공하고, 전체 팹 공간을 절약하고, 웨이퍼 대기 시간을 줄이며, 팹의 자본을 보호하기 위한 비용 효율적인 업그레이드 경로를 제공합니다.

KLA는 OVALiS, 5D Analyzer® 와 같이 반도체 칩 제조 계측 데이터를 중앙화하고 분석하는 소프트웨어 솔루션을 보유하고 있습니다.

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KLA는 Pro Systems 및 Enhancements를 통해 오버레이 및 필름 계측 시스템을 포함하여 기존 노드 방식의 칩 제조를 위한 계측 시스템을 제공합니다.

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