产品上套刻控制、线上监控、扫描仪验证、成形控制
Archer™
套刻量测系统
Archer™ 750套刻测量系统为技术领先的存储器和逻辑器件的技术加快促进和稳定生产提供准确的产品套刻误差反馈。在制造工艺不断变化的情况下，具有10nm分辨率的波长可调性提供了准确而强大的套刻误差测量。通过通常只在散射量测系统中见到的生产力水平，Archer 750成像技术套刻系统支持更高采样率，用于高阶光刻机校正，并具有高吞吐量，适用于在线监控。先进的算法和新颖的rAIM®套刻目标设计可改善目标与器件套刻误差之间的相关性，从而帮助光刻人员准确跟踪器件套刻的状况。
Archer 700
是一种基于成像的套刻测量系统，具有可调的光源来准确和可靠地测量≤7纳米逻辑和先进存储器设计节 点的套刻误差。
Archer 600
是一种基于成像的套刻测量系统，适用于先进存储器和≤10纳米逻辑器件。
Archer 500LCM
是一种双成像和散射测量的套刻测量模块，适用于2X纳米/1X纳米设计节点的多个工艺层。
Archer 500
是一种基于成像的套刻测量系统，适用于2X纳米/1X纳米设计节点。
ATL™
是一种基于散射测量的套刻测量系统，适用于≤7纳米逻辑和先进存储器设计节点。
Archer™ Power
多功能套刻和 CD 量测系统，用于功率、逻辑和存储、LED、光电、RF、MEMS 和其他特种器件的研发和量产。
irArcher®
用于先进晶圆对晶圆 (W2W) 对准键合工艺的套刻度量系统
ATL™
套刻量测系统
基于ATL100™（精确可调谐激光器）散射测量的套刻测量系统可以为≤7nm设计节点的开发和批量制造提供套刻控制。 系统结合了分辨率为1nm的可调谐激光技术与实时Homing™功能以确保在实际生产工艺发生变化时仍然保持高精度的套刻。 ATL100支持包括芯片内和小间距在内的各种散射测量叠加测量目标设计，并且可以针对不同工艺层、器件类型、设计节点以及图案化技术实现精确的套刻误差测量。
产品上套刻控制、线上监控、扫描仪鉴定、成形控制、芯片内测量
Archer™
成像技术套刻量测系统可在≤1Xnm设计节点上提供高精度的套刻量测，适用于研发和高产量制造。
Archer™ Power
多功能套刻和 CD 量测系统，用于功率、逻辑和存储、LED、光电、RF、MEMS 和其他特种器件的研发和量产。
irArcher®
用于先进晶圆对晶圆 (W2W) 对准键合工艺的套刻度量系统
Archer™ Power
套刻量测系统
Archer™ Power 和 Archer™ Power XT 量测系统可以测量各种芯片类型的套刻误差和关键尺寸（CD），包括功率器件、逻辑和存储、LED、光电、RF、MEMS 和其他器件。 Archer Power 和 Archer Power XT 系统具有高生产力、严格的总测量不确定性 (TMU) 和制程监控关键性能指标 (KPI)，可为研发、路径寻找和量产 (HVM) 期间提供准确、经济高效的测量以加速学习周期。Archer Power 系统在广泛采用、经过生产验证的套刻测量平台上设计和制造，能够在同一生产线上灵活支持多种晶圆尺寸（150mm、200mm、300mm、150/200mm 桥接和 200mm/300mm 桥接配置），并且能够适应多种不同的晶圆厚度和基板类型（Si、SiC、GaN、GaAs、玻璃、蓝宝石等）。
Axion®
X射线临界尺寸（CD）和形状量测系统
Axion® T2000 X射线尺寸量测系统能够对用于先进的3D NAND和DRAM芯片中的高纵横比结构进行高分辨率、快速、准确、精确的非破坏性三维形状测量。通过创新的X射线技术，Axion T2000能够识别微小的结构变化（弯曲、弯曲度、CD轮廓、刻蚀深度、椭圆度、倾斜等），这些变化或会影响存储器件的性能和产量。通过在线非破坏性测量，Axion T2000帮助存储器制造商在研发过程中实现快速学习周期，取代了长周期、破坏性的方法，如FIB-SEM、TEM和横截面SEM等。Axion T2000还用于在高产量制造过程中对关键工艺步骤进行表征、监控和控制，以确保及时发现和解决问题，保持稳定的生产。
过程表征和优化、工程分析、在线工艺监测、蚀刻工艺工具监测，后处理PM蚀刻工艺工具验证
AcuShape®
高级建模、仿真和分析软件套件，可解释来自 Axion 系统的信号，帮助加快构建准确、健壮和可用 3D 形状模型的过程。
ICON™
集成的硬件和软件平台，可自动刷新配方病无缝部署机器学习 (ML) 解决方案。ICON (Intelligent CONnect) 支持 TurboShape 无模型和基于模型的 ML 方案开发，并且兼容所有 KLA CD 和 3D 形状尺寸测量系统。
SpectraShape®
光学 CD 和形状度量系统，可测量和监控逻辑和存储器 IC 器件的复杂特征。
SpectraShape™
光学临界尺寸（CD）和形状量测系统
SpectraShape™11k尺寸量测系统用于全面表征和监控finFET的关键尺寸（CD）及其三维形状、垂直堆叠的NAND和DRAM结构以及前沿设计节点上集成电路的其他复杂功能。利用光学技术和专利算法的先进性突破，SpectraShape 11k可以识别关键器件的参数（关键尺寸、高k和金属栅极凹槽、侧壁角度、光刻胶高度、硬掩模高度、间距偏移）的细微变化。SpectraShape 11k配备了经过改进的工作台和全新的测量模块，可实现高产量运转，能够在线快速识别制程中的问题，从而帮助晶圆厂加快产量提升并实现稳定的生产。
在线工艺监控、成形控制、工艺窗口扩展、工艺窗口控制、高级工艺控制（APC）、工程分析
AcuShape®
高级建模、仿真和分析软件套装，可解读 SpectraShape 系统发出的信号，帮助加快构建准确、健壮和可用的三维（3D）形状模型的过程。
TurboShape™
基于机器学习 (ML) 的建模软件，它利用无模型和模型辅助（基于物理的几何模型）方法，提供独特的、差异化的方案，以解决所有设备领域中最困难的 3D 测量挑战。
ICON™
集成的硬件和软件平台，可自动刷新配方病无缝部署机器学习 (ML) 解决方案。ICON (Intelligent CONnect) 支持 TurboShape 无模型和基于模型的 ML 方案开发，并且兼容所有 KLA CD 和 3D 形状尺寸测量系统。
SpectraShape 10K
光学 CD 和形状度量系统，可测量 1Xnm 逻辑和高级存储器 IC 器件的复杂特征。
SpectraShape 9000
光学 CD 和形状度量系统，可测量 20 纳米及以下设计节点的集成电路器件的复杂特征。
SpectraShape 8810/8660
光学 CD 测量和形状测量系统，支持 32 纳米及以下设计节点的集成电路器件的关键结构参数的工艺监控。
Axion®
用于对先进 3D NAND 和 DRAM 芯片中使用的高纵横比结构进行三维 （3D）形状测量的X射线尺寸度量系统。
SpectraFilm™
薄膜量测系统
SpectraFilm™ F1薄膜测量系统可以为各种薄膜层提供高精度薄膜测量，从而在7nm一下的逻辑和领先内存设计节点上协助实现严格的工艺允许误差。高亮度光源驱动光谱椭偏仪技术，信号足以精确测量带隙并且可以比电子测试提早数周了解电性能。新的FoG™（光栅上的薄膜）算法可以在类似器件的光栅结构上实现薄膜测量，从而进一步提高测量值与器件的相关性。随着产量的提高，SpectraFilm F1能够支持产率提升，并且测量更多与先进设备制造技术相关的薄膜层。
带宽度监控、工程分析、在线工艺监控、工具监控、工艺工具匹配
SpectraFilm LD10
是SpectraFilm™ LD10 薄膜测量系统，可可靠地进行薄膜层厚度、折射率和应力的高精度测量，适用于16纳米设计节点及以上范围内的各种薄膜层。
Aleris®
薄膜量测系统
Aleris® 薄膜量测系统可为32nm及以上的节点提供可靠的、精确的薄膜厚度、折射率、应力以及成分测量。 利用宽带光谱椭圆偏光（BBSE）技术，Aleris薄膜测量系统提供全面的薄膜厚度测量和量测解决方案，帮助晶圆厂对各种薄膜层进行鉴定和监控。
工程分析、线上工艺监控、工具监控、工艺工具匹配
Aleris 8330
Aleris 8330薄膜量测系统是一种总拥有成本低的解决方案，适用于非关键薄膜，包括金属间介电质、光阻、底部防反射层、厚氧化物和氮化物以及层后道工艺层等。
Aleris 8350
Aleris 8350是一种高性能薄膜量测系统，满足对关键薄膜的厚度、折射率和应力等参数要求更严格的工艺公差。Aleris 8350薄膜厚度测量系统用于先进薄膜的开发、表征和工艺控制，包括超薄扩散层、超薄栅氧化物、先进光阻、193nm防反射层、超薄多层堆叠和CVD层。
Aleris 8510
Aleris 8510将Aleris系列的薄膜厚度测量、成分测量和应力测量能力扩展到先进的高介质常熟金属栅（HKMG）和超薄解耦电浆氮化（DPN）工艺层。利用增强型150nm宽带光谱椭圆偏光技术，Aleris 8510薄膜厚度测量系统为工程师提供了DPN层和所有HKMG层（从栅极到聚合物，包括Hf和N剂量以及薄膜厚度测量）的薄膜量测数据，以支持DPN层和HKMG层的开发和线上监控。
PWG™
图案化的晶圆几何形貌（PWG）量测系统
PWG™ 图案化晶圆几何量测平台可为先进的 3D NAND、DRAM 和逻辑制造商提供完整的高密度的晶圆形变、晶圆平整度和双面纳米形貌量测数据。PWG5™ 具备高分辨率和高数据密度，可测量应力引起的晶圆形状变化、晶圆形状引起的图案叠对误差、晶圆厚度变化以及晶圆正面和背面形貌。凭借业界极佳的动态范围，PWG5支持在线监测与控制晶圆翘曲和应力，这些翘曲和应力是由于制造高级3D NAND器件的96+层堆叠沉积制程产生的。PWG5从源头识别制程引起的晶圆形状变化，从而能够进行晶圆的制程返工，制程设备的重新校准或与KLA的5D Analyzer®数据分析系统集成，将结果反馈到扫描仪，从而改善产品套刻精度和整体器件的良率。
制程监控，在线监控，光刻套刻控制
PWG5 with XT Option
新增的技术扩展了 PWG5 图案化晶圆几何量测系统的晶圆处理和量测能力，以支持晶圆级先进封装应用的晶圆间键合的量测。
PWG3™
第三代图案化晶圆几何尺寸测量系统，支持在线监控晶圆厂范围的制程，在2X / 1Xnm设计节点上对一系列存储器和逻辑器件类型进行监控。
Therma-Probe®
离子注入量测系统
Therma-Probe离子注入/退火量测系统可为一系列半导体技术实现线上注入剂量监测，包括先进设计节点器件和复合半导体器件。 Therma-Probe 680XP 和 780 可生成关键制程信息，包括离子注入剂量和剖面、注入和退火均匀性，以及末端损伤。 此外，Therma-Probe系统的高分辨率微均匀度图谱为注入和退火工艺开发提供指纹识别能力。
工程分析、在线制程监控、设备监控、制程机台匹配
Therma-Probe 680XP
Therma-Probe 680XP 量测系统支持 2Xnm/1Xnm 设计节点的硅基器件的离子注入和退火工艺的在线监控。 它提供全能量/剂量矩阵的测量覆盖范围，并生成高密度微观图，可以显示出注入和退火均匀度特征。 Therma-Probe 680XP 为关键注入和退火制程控制生成数据。
Therma-Probe 780
Therma-Probe 780 量测系统支持小于 1Xnm 设计节点的硅基器件的离子注入和退火工艺的在线监控。 通过提供高性能短期和长期剂量可检测性，Therma-Probe 780 能够对各种关键工艺参数进行严格的制程控制，包括注入工艺的剂量、能量和自动光学检测，以及退火工艺的活化和损伤恢复。 此外，Therma-Probe 780 还支持宽能带隙（碳化硅、氮化镓等）半导体离子注入/退火制程监控。
CAPRES microRSP®
微尺度片上电阻探测
CAPRES A301 microRSP®是基于传统宏观探测中可靠的四点法技术的CAPRES系统。它提供了从离线测试晶圆电阻测量到在线产品晶圆片上电阻表征的简单过渡。该系统使用可靠的技术，能够准确测量片上电阻，帮助实现生产中的过程控制和质量优化。CAPRES A301 microRSP采用具有悬臂宽度可达500纳米的柔性微制电极阵列，是第一个可以在300毫米产品晶圆划痕线上工作的非破坏性电阻测量工具。它能够在非常小的长度尺度上进行测量，提供精确的结果，帮助实现对产品晶圆的片上电阻进行准确测量和表征。完全自动的CAPRES A301 microRSP基础产品可用于对300毫米的裸片和产品晶圆进行片上电阻测量，并可根据下面的相关产品部分中定义的不同配置，提供额外的测量能力和功能。我们还提供200毫米的CAPRES microRSP产品。
用于沉积、CMP和刻蚀、工艺设备匹配的产品片上电阻控制、线上工具和工艺监控。
CAPRES A301 microHALL®
是一款具有300毫米X-Y台和300毫米夹持器的全自动微尺度Hall效应测量系统，可在产品晶圆、裂片晶圆和刻线垫上实现对Hall迁移率和活性载流子浓度的直接电学测量。
CAPRES M300 microRSP®
是一款具有300毫米X-Y台和300毫米夹持器的半自动微尺度片上电阻探测系统，可对厚薄金属膜进行片上电阻测量。
CAPRES M201 microRSP®
是一款具有200毫米X-Y台和200毫米夹持器的半自动微尺度片上电阻探测系统，可对厚薄金属膜进行片上电阻测量。
CAPRES CIPTech®
电学/磁学性能量测
CAPRES A301 CIPTech®和CAPRESM300 CIPTech®计量系统可直接测量与MRAM、STTRAM、磁记录头和磁传感器应用相关的铺盖式磁隧道结构（MTJ）层中的关键性磁电阻和隧道电阻（MR和RA）。获得IBM许可的Current In-Plane Tunneling 技术 (CIPTech®)具有前所未有的测量速度，并相比先前的技术在成本和时间上带来了巨大的节省。当与CAPRES专有的纳米MEMS探针技术结合使用时，完全自动化的CAPRES A301 CIPTech系统和半自动/手动的CAPRES M300 CIPTech系统可以快速而有效地对300mm全片或样品券上的MTJ性质进行非破坏性测量。MTJ表面通过一种新型的多点接触探针进行探测，该探针具有十二个微观悬臂电极，并使用CIPTech技术从CAPRES多点测量中直接提取MR和RA。
直接测量磁阻式随机存取内存（MRAM）、磁记录头和传感器产品开发、工艺控制和工艺设备匹配的电学特性。
CAPRES M201 CIPTech®
是一款具有200毫米的X-Y台和200毫米夹持器的半自动的电学特性测试设备，可对产品型号的MRAM MTJ层进行microRSP和完全自动化的CIPTech电学特性测试。
CAPRES A301 CIPTech® ROW
是一款具有300毫米的X-Y台和300毫米夹持器的全自动的电学特性测试设备，可对产品型号的MRAM MTJ层进行microRSP、完全自动化和直接的电学特性测试。该系统包含一个垂直（600mT）的磁体系统。
CAPRES A201 CIPTech® Horizontal
是一款全自动具有200毫米X-Y台、200毫米夹持器 ，可实现对产品型号的 MRAM MTJ 层进行microRSP 和完全自动化的 CIPTech 电学特性测试。该系统包含一个水平方向（150mT）的磁场系统。
MicroSense® PKMRAM
用于 MRAM 的 300 毫米可用的非接触式磁性量测系统
MicroSense® PKMRAM 系统利用极性磁光克尔效应 (MOKE) 表征多层晶圆的磁性，以用于开发和制造垂直 MRAM。该系统利用非接触式全晶圆测量技术，绘制了大至 300 毫米的整体晶圆磁性图。该系统可采用手动加载或全自动配置，以满足研发和/或生产要求。与其他 MicroSense 磁量测工具一样，MicroSense PKMRAM 系统使用专有的直接场控制技术，提供高场能力和低场分辨率，以表征单个系统中的自由层和固定层属性。
MRAM 磁膜特性的工艺开发、表征和优化
MicroSense® KerrMapper
纵向磁光 Kerr 效应系统
MicroSense® KerrMapper系列工具利用纵向磁光克尔效应（MOKE）来表征磁性多层晶片（用于数据存储、MRAM和其他磁传感器）的磁性特性。利用非接触式全晶片测量技术，MicroSense® KerrMapper S300和V300系统可以创建整个晶片磁性特性的映射图。这两种系统都可以手动加载或全自动配置，用于研发和/或生产。使用MicroSense磁测量工具的专有直接场控制技术，MicroSense® KerrMapper系统提供高场能力和低场分辨率，可在单个系统中表征自由层和固定层性能。
磁性薄膜性质的工艺开发、表征和优化。多层软磁和硬磁薄膜的表征
OmniMap® RS-200
薄层电阻量测系统
OmniMap® RS-200电阻率测绘系统采用了成熟的工业电阻率测绘标准，可为45nm及以下的测量提供准确可靠的薄层电阻测量。 该电阻率测绘系统提供高级自动化和改良边缘性能等功能，以满足当今300mm晶圆生产要求。
工艺监控、工具监控
CIRCL™
全表面晶圆缺陷检测、量测和检视集群系统
CIRCL™ 集群设备包含四个模块可以检测所有晶圆表面并同步采集数据，从而实现高产量和高效率的工艺控制。 最新一代的CIRCL5系统模块包括：晶圆正面缺陷检测; 晶圆边缘缺陷检测；轮廓、量测和检查; 晶圆背面缺陷检测和检查; 以及晶圆正面缺陷的光学检查和分类。 DirectedSampling™可以提供数据采集控制，并创新地利用一项测量结果触发集群设备中其他类型的测量。 CIRCL5的模块化配置可以灵活地满足不同工艺控制的需求，节省整个晶圆厂空间，缩短晶圆排队检测时间，并可以通过经济高效的系统升级来保护晶圆厂的资本投资。
制程监控、出厂质量控制（OQC）、工具监控、背面监控、晶边良率监控
KLA拥有一套软件解决方案，可以集中和分析芯片制造的量测数据，包括OVALiS和5D Analyzer®。
点击此处了解更多信息KLA还提供通过Pro Systems and Enhancements进行传统节点制造的量测系统，包括套刻和薄膜度量系统。
点击此处了解更多信息Are you sure?
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