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KLA의 계측 솔루션은 패턴치수, 박막 두께, 층간 정렬, 패턴 배치, 표면 형상, 웨이퍼 기하구조 및 In situ 공정을 정확하게 측정합니다. 혁신적인 시스템을 망라한 포트폴리오를 제공하여 칩 제조업체들이 로직, DRAM 및 3D NAND 소자의 성능을 개선할 수 있도록 EUV 사진 식각을 포함한 Fab 내 공정에 대한 엄격한 제어를 지원합니다.

제품군에 Archer™ 750과 SpectraShape™ 11k이 추가되었습니다! 다양한 광학 및 플랫폼 혁신과 첨단 머신러닝 알고리즘을 보유한 신규 시스템은 공정에 중대한 영향을 미치는 패터닝 변수를 제어하고 측정하여 IC 엔지니어들이 우수한 패터닝 사양을 달성하도록 지원합니다.

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Archer™ 750

KLA의 신규 이미징 기반 오버레이 계측 시스템은 오버레이 오류를 빠르고 정확하게 측정하여 Litho 엔지니어들이 인라인 이탈점을 파악하고 패터닝 성능을 개선하도록 지원합니다.

• 10nm 해상도를 탑재한 고유의 파장 조정 기능은 첨단 로직과 메모리 소자의 빠른 기술 향상과 안정적인 생산을 할 수 있도록 공정 변동이 존재하는 상황에서도 정확하고 견고한 오버레이 오류 측정값을 제공합니다
• 새로운 CPL (층별 색상) 측정 모드를 사용하여 측정이 어려운 Litho 층, EUV의 박막 감광재 및 불투명 박막 등에서의 정확한 오버레이 측정을 위한 타겟 신호대잡음비(SNR)을 개선합니다
• 새로운 스테이지 및 센서 등의 하드웨어를 개선하여 시스템 생산성을 일반적으로 산란계측 기반의 오버레이 시스템에서만 보여지는 수준으로 향상시켜 고차 스캐너 교정 및 대량 생산을 지원하는 오버레이 샘플링을 증가시킵니다
• 새로운 rAIM^® 오버레이 타겟 설계 기능을 보유한 첨단 알고리즘은 향상된 소자 오버레이 성능 추적을 위해 향상된 소자와 타겟 상관성과 향상된 공정의 견고성을 제공합니다

Archer 750 세부사항

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SpectraShape™ 11k

최신 CD 및 입체형차원 형상 계측 시스템은 첨단 IC 공정의 생산 모니터링에서 사용되는 주요공정에 중대한 영향을 미치는 소자 기능형상에 대한 높은 수준의 정밀도와 샘플링 측정 역량을 제공합니다.

• 대량 생산 중 발생하는 공정 이슈를 빠르게 파악하기 위해 광원, 편광, 스테이지 및 기타 하위 시스템을 크게 향상시켜 고감도 및 처리량으로 공정에 중대한 영향을 미치는 소자 형상 측정을 지원합니다
• Fast Multi Angle(FMA)을 통해 이전 세대 SpectraShape 시스템보다 향상된 감도와 속도를 활용하여 어려운 공정 변수와 층에 대해 높은 신호 강도로 다양한 입사각도에서 동시에 데이터를 수집할 수 있습니다
• 적외선 파장 범위를 확장한 고해상도 반사율 측정장치와 높은 보우 웨이퍼를 처리할 수 있는 새로운 척을 통해 첨단 DRAM 및 3D NAND 공정의 제어 및 모니터링에 필요한 고종횡비 채널 홀 식각 CD, 높이와 홈리세스 등의 하드마스크와 후막 층 변수를 측정할 수 있습니다
• TurboShape™ 알고리즘은 패터닝 성능을 향상시키는 신규 스캐너 제어 또는 식각 공정 제어 전략을 구현하기 위한 Litho ADI 에서 CD 및 형상을 측정하도록 지원합니다

SpectraShape 11k 세부 사항