대한민국

첨단 패키징을 위한 웨이퍼 공정 시스템

KLA는 고밀도 팬아웃 웨이퍼 수준 패키징(FOWLP)부터 금속으로 채워진 실리콘 관통 전극(TSV)을 통해 서로 다른 기능을 가진 두 개 이상의 다이를 수직 방향으로 적층하고 연결하는 최첨단 3D 패키지에 이르기까지 첨단 패키징 방식을 위한 다양한 플라즈마 식각 및 증착 공정 기술을 제공합니다. KLA는 또한 실리콘 식각 분야에서 수십 년간 쌓아온 전문 지식과 기술을 활용하여 지름이 최대 300mm인 웨이퍼의 그라인딩 전 다이싱(DBG) 또는 그라인딩 후 다이싱(DAG)을 위한 최첨단 플라즈마 다이싱 솔루션도 제공합니다.

SPTS Omega® Plasma Etch

실리콘용 플라즈마 식각 시스템

SPTS Omega® Plasma Etch 시스템에는 첨단 패키징 애플리케이션에서 고속 실리콘 식각을 위한 Rapier™ 공정 모듈 제품군이 포함되어 있습니다. Rapier™ 식각 모듈은 실리콘 웨이퍼 또는 인터포저를 통해 구멍 또는 슬롯을 통해 수직 또는 테이퍼형 고종횡비를 생성하는 2.5D/3D-IC 패키징 애플리케이션과 웨이퍼 뒷면에서 Cu로 채워진 비아를 노출하는 블랭킷 경유 공개 에칭을 위해 사용됩니다. Rapier™ XE 공정 모듈은 레시피 조정이 가능한 균일성과 블랭킷 실리콘 에칭을 위한 경쟁 시스템보다 일반적으로 2~4배 빠른 에칭 속도를 결합합니다. 동일한 공정을 사용하여 식각 정지 층을 통합함으로써 5µm 또는 0.5µm까지 극도로 웨이퍼를 얇게 만들 수 있습니다. 또한 KLA는 TSV 에칭, 경유 공개 및 대량 양산 과정에서 최적의 처리량과 수율을 가능하게 하는 초박막 공정을 위해 특허로 보호된 고유한 엔드 포인트 솔루션을 제공합니다.

SPTS Mosaic™ Plasma Dicing

플라즈마 다이싱 시스템

SPTS Mosaic™ Plasma Dicing 시스템은 실리콘 웨이퍼(최대 300mm, 프레임 기준)에서 다이를 분리하기 위해 기계식 톱 또는 레이저 기술을 대체할 수 있습니다. 이 솔루션은 손상이 적은 건식 화학 공정을 통해 금형 강도를 높이고 미립자 오염을 방지합니다. 이러한 장점은 웨이퍼가 얇거나 깨지기 쉬운 낮은 유전율 박막이 포함된 경우, 그리고 다이와 웨이퍼를 접합할 때 특히 중요합니다. 병렬 공정인 플라즈마 다이싱은 소형 다이 및/또는 얇은 웨이퍼를 다이싱할 때 상당한 처리량, 수율 및 비용 이점을 제공합니다. 다이싱 레인이 더 협소해지면 웨이퍼당 더 많은 다이를 사용할 수 있고 다이 모양에 제한이 없어 웨이퍼 레이아웃을 최적화할 수 있습니다.

SPTS Sigma® PVD

금속 증착을 위한 물리적 기상 증착 시스템

SPTS Sigma® PVD 시스템은 실리콘(Si) 또는 몰드 웨이퍼에 금(Au), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 티타늄-텅스텐(TiW), 구리(Cu) 등의 금속을 증착할 때 사용합니다. 첨단 패키징 기술을 위해 유기 보호막과 새로운 기판 물질을 도입하는 것은 언더 범프 금속화(UBM)와 재배선층(RDL)에 기술적 문제를 초래합니다. 새로운 가스 제거 및 사전 세정 기술을 사용하여 Sigma® PVD 시스템은 다른 PVD 시스템에 비해 두 배 더 높은 처리량을 제공하면서 일관되게 낮은 접합 저항(Rc) 값을 생성합니다. 2.5D 및 3D-IC 응용 분야에서 KLA의 Advanced Hi-Fill® Ionized PVD 소스는 높은 종횡비의 TSV에서 세계 최고 수준의 구리(Cu) 차단벽/시드 적용 범위를 제공합니다.

SPTS Osprey® PECVD

플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템

Advanced Packaging분야를 위해 SPTS Osprey® PECVD 시스템은 300mm 접착 기판 및 몰드와 호환되는 저온 증착 공정을 제공합니다. Osprey® PECVD는 125°C의 낮은 증착 온도에서 고품질의 생산 자격을 갖춘 유전성 필름을 생산합니다. SiN – SiO 스택은 동일한 PECVD 챔버에 증착될 수 있으며, 시간이 지남에 따라 높은 신뢰성의 전기 성능과 안정성을 제공합니다. 필름 및 스택 응력은 광범위한 범위에서 조정될 수 있으며 최적화된 챔버 하드웨어는 경쟁하는 PECVD 시스템에 비해 웨이퍼 내 응력 범위를 가장 낮게 조정할 수 있습니다. 필요한 경우 단일 웨이퍼 및 다중 웨이퍼 탈가스 옵션은 가스 배출을 위한 기판을 가열하고 증착된 필름 품질을 향상시킬 수 있습니다. 최적화된 SiO, TEOS SiO, SiCN 및 기타 advanced dielectric films은 hybrid bonding and inter-die gap-fill 응용 분야에 사용할 수 있습니다.

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