先进IC
AI,5G,云计算和边缘计算,自动驾驶汽车,移动设备。今天的电子产品和未来的技术都需要领先的GPU,CPU,DRAM和3D NAND芯片。这些IC采用复杂的结构和新材料制造,结构尺寸更小,更窄,更高,更深。 这种复杂性需要创新的制程控制以确保产品的良率。
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创新科技
缺陷发现的超凡能力基于对纳米级缺陷的高亮度照射。我们的光学检测人员利用比太阳还要亮的宽光谱光源,而我们的电子束检查系统将电子书与电压应用发挥到了前所未有的程度。先进的传感器技术和算法涵盖了从芯片设计到机器学习的各个方面,可以在具有挑战性的模式和工艺层上将复杂信号环境中的微小缺陷分离开来。
产品组合
凭借独特的技术和强大的连接性,我们的392x和295x检测器和eDR7380检测系统构成合作组合,为先进逻辑IC、DRAM、3D NAND从研发到批量生产的过程提供全方位的解决方案,针对关键缺陷完成检测、识别、溯源。
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392x and 295x
宽光谱等离子光学图案晶圆缺陷检测系统
- 392x和295x平台具有互相补充的光谱波段,这样组合检测就确保了对影响良率的关键缺陷的最终灵敏度,从而改善了对先进的IC制程中缺陷的发现和监控
- 传感器和光源技术的创新能够以高吞吐量检测关键缺陷,在研发、生产和量产过程中实现快速发现、良率学习和生产在线监测
- 设计认知算法,包括pixel•point™和nano•cell™ 技术,提供sub-pixel尺寸下的‘关注区域’-Care area设置,改善对影响良率的关键缺陷的捕获和分类
- 392x具有独特的波长范围,对光学孔径和新算法的进一步提升,有助于检测EUV光罩中的重复性缺陷,完成EUV光罩的重新认证
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eDR7380™
电子束缺陷检测与视检系统
- Simul™-6技术在一次测试中产生完整的关键缺陷(DOI)分部分析,可实现精确的展现缺陷源、更快做到制程偏移检测
- 独特的光学空间可为各种缺陷视检应用提供高质量的图像:
- 3D NAND或DRAM器件上高宽比比沟槽或接触孔中缺陷的成像和分类
- 可视化FinFET沟槽中的缺陷,例如前层的短路
- 电压对比度缺陷的识别
- 脆性EUV光刻工艺层缺陷的低损伤评估
- 与KLA检测系统的独特协同合作有助于准确识别图案化晶圆、裸片晶圆和晶圆边缘斜边的缺陷,从而加快良率的提升