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蚀刻

蚀刻是芯片制造中使用的一个术语，它可用于描述从晶圆表面去除材料的任意工艺。 通过使用光罩来保护晶圆表面的选定区域，便可对特征进行蚀刻从而创建器件所需的微结构。KLA 提供多种干法蚀刻技术，这些技术或是将晶圆表面暴露于等离子体中的反应离子（通过低压工艺气体的射频激发来形成），或是使用气体蚀刻剂，例如高频或 XeF2 蒸汽。

产品类别

SPTS Omega® with Rapier™/DSi-v Module

针对硅的等离子蚀刻系统

SPTS Omega® Rapier™ 和 DSi-v 处理模块可为各种应用提供高速硅蚀刻加工。针对硅的深反应离子蚀刻 (DRIE) 采用博世 (Bosch) 工艺。该工艺可在蚀刻 (SF6) 和钝化 (C4F8) 步骤之间反复切换等离子体化学成分，从而在硅中实现沟槽或孔洞的各向异性蚀刻。KLA 拥有逾 1,500 个 DRIE 处理模块的安装实例，并在 MEMS 和其他应用的深硅蚀刻方面拥有数十年的专业知识。SPTS Rapier™ 提供双等离子体源设计，具有独立控制的主要和辅助解耦等离子体区域，以及独立的双气体入口。它会产生高度集中且均匀分布的自由基，从而实现高蚀刻速率、出色的跨晶圆均匀性以及对 CD、轮廓和特征倾斜的控制。此性能可在直径高达 300mm 的晶圆上实现。凭借附带的多模式灵活性，可在同一硬件内进行互补式氧化物蚀刻加工。SPTS DSi-v 模块可为高负载应用提供出色的深硅蚀刻性能。DSi-v 尤其适合硅麦克风或压力传感器等应用的大腔蚀刻加工。Rapier™ 和 DSi-v 均与 Omega® LPX、c2L 或 fxP 晶圆处理平台兼容，或是与 Versalis™ 集群平台上的不同 SPTS 蚀刻和沉积模块相集成。

SPTS Omega® with SynapsEtch Module

适用于牢固结合材料的等离子蚀刻系统

SPTS Omega® SynapsEtch 处理模块使用高密度等离子体源来蚀刻牢固结合的材料。 SPTS Omega SynapsEtch 蚀刻工艺模块会进行加热且附带磁约束腔体，因而可提供比传统 ICP 更高的等离子体密度（约 10 倍）。等离子体密度越高，便可对牢固结合的材料实现更高的蚀刻速率。Omega SynapsEtch 常用于蚀刻介电材料（包括氧化硅、石英和玻璃）的深层特征。 Omega SynapsEtch 模块还可轻松处理其他低挥发性材料，例如 SiC 和 AlScN。Omega SynapsEtch 与 LPX、c2L 或 fxP 晶圆处理平台兼容，或是与 Versalis™ 集群平台上的不同 SPTS 蚀刻和沉积模块相集成。

SPTS Omega® with ICP Module

适用于各种材料的等离子蚀刻系统

SPTS Omega® ICP 处理模块极为灵活，可蚀刻多种材料，其中包括 GaAs、GaN、SiN、氧化物、聚合物、低高宽比硅和金属。SPTS ICP 处理模块使用的是采用径向线圈设计的高密度等离子体源。ICP 处理模块可用于射频器件和光子/光电子器件的应用，它是半导体行业的一种支持工具。ICP 模块与 Omega® LPX、c2L 或 fxP 晶圆处理平台兼容，或是与 Versalis™ 集群平台上的不同 SPTS 蚀刻和沉积模块相集成。

SPTS Mosaic™ with Rapier-S/Rapier-300S Module

等离子切割系统

采用深度反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺的等离子切割是使用锯片或激光器的传统切割方法的可行替代方法。等离子切割可为用户带来极大好处，其中包括较窄的切口宽度，因而每个晶圆可增加 80% 以上的芯片（具体取决于芯片尺寸）。清洁度更高的工艺可提高芯片到晶圆混合结合的良率。基于材料的化学去除工艺，等离子切割可提高关键应用中芯片的强度并提升芯片可靠性。

SPTS Mosaic™ 等离子切割系统可对硅晶圆（最大 300mm，位于框架上）进行等离子切割。Rapier-S 模块基于成熟的“双源”Rapier 模块，可提供极其均匀且可控的等离子体剖面，且能处理 296mm 或 400mm 框架上覆有胶带的晶圆。SPTS Mosaic™ OHT 集群平台可容纳 4 个处理模块且兼容 296/400mm 框架以及 200/300mm 晶圆（并行），同时还内含一个具有 2/3 装载端口（可用于天车传送）的行业标准 EFEM。

Primaxx® Monarch 300

适用于批量生产 200/300mm 晶圆的高频气相蚀刻系统

Primaxx® Monarch 300 蒸气氟化氢 (VHF) 蚀刻系统为完全集成式系统，它旨在通过受控无水高频/酒精蚀刻工艺来完成选择性 MEMS 蚀刻释放。该系统与 200mm 和 300mm 晶圆兼容，可为每批次多达 13 个晶圆提供具备高吞吐量和高正常运行时间特性的批量处理能力。丰富的工艺控制和监控功能可确保批量生产所需的产量、可靠性和可重复性。

Monarch 300 与 Primaxx® 300 fxP 晶圆处理平台兼容，并支持多达 6 个 VHF 蚀刻处理模块。如果需要，该 VHF 蚀刻模块还可与 SPTS Versalis™ 平台上的其他 SPTS 蚀刻或沉积模块搭配使用。

Primaxx® Monarch 25

适用于大批量生产中 200mm 以下晶圆的氟化氢气相蚀刻系统

Primaxx® Monarch 25 气相氟化氢 (VHF) 蚀刻系统为完全集成式系统，它通过受控的氟化氢/无水酒精蚀刻工艺来完成选择性蚀刻释放，以满足中大规模量产应用的需求。Primaxx Monarch 25 兼容100mm-200mm（4-8 英寸）的晶圆，可为每批次最多 25 片晶圆提供具备高吞吐量以及高正常运行时间的批量式工艺能力。丰富的工艺控制和监控功能可确保规模化生产所需的良率、可靠性和可重复性。制程腔体、气体/液体面板和压力/真空组件的占地面积均较小。Monarch 25 适用于 Primaxx® fxP（针对最多 6 个处理模块）或 Primaxx® c2L（针对最多 4 个处理模块）平台。如果需要，该 VHF 蚀刻模块还可与 SPTS Versalis™ 平台上的其他 SPTS 蚀刻或沉积模块搭配使用。

Primaxx® Monarch 3

适用于研发和小批量生产的气相HF蚀刻系统

Primaxx® Monarch 3 气相氟化氢 (VHF) 蚀刻系统使用可控的氟化氢/无水酒精蚀刻工艺来完成选择性蚀刻释放。Monarch 3 是一个紧凑型模块，其中包括一个可支持3片晶圆的工艺腔体，内含一个带预抽真空室的半自动3片晶圆载台。它专为研究实验室和小批量生产环境而设计。带有电子控制板的集成式电脑屏可最大限度地减少洁净室占地面积，且该系统的设计支持轻松地更改晶圆尺寸和进行维护。

Primaxx® uEtch

适用于研发应用中单晶圆加工的高频气相蚀刻系统

Primaxx® uEtch 紧凑型单晶圆高频气相蚀刻系统专为大学和小型研究实验室而设计。该完全集成式系统包括一个内置的高频气柜，它可处理单个完整晶圆 (100-200mm) 或载体上的芯片。PLC（可编程逻辑控制器）控制提供多用户功能以及丰富的安全联锁。在 uEtch 上开发的 HF 蒸气工艺可转移到 Primaxx Monarch 3、Monarch 25 和 Monarch 300 生产系统，从而提供从概念到生产的完整途径。

Xactix® CVE

适用于大批量生产的 XeF2 气相蚀刻释放系统

Xactix® CVE 二氟化氙 (XeF2) 蚀刻模块采用独家腔室设计，可提供高蚀刻速率、均匀性和效率。使用 XeF2 对硅进行各向同性蚀刻是释放 MEMS 或光子器件的理想解决方案。XeF2 对硅的选择性高于几乎所有标准半导体材料，其中包括光刻胶、二氧化硅、氮化硅和铝。Xactix CVE 模块与 c2L 或 fxP 集群平台兼容，可实现大批量生产以及 XeF2 模块与 KLA 所提供其他 SPTS 处理模块的集成。

Xactix® X4

XeF2 蒸气释放蚀刻系统

Xactix® X4 二氟化氙 (XeF2) 蚀刻系统具有更高的蚀刻速率以及高性能的组件，因而非常适合密集型研发和试生产。XeF2 对硅的选择性高于几乎所有标准半导体材料，其中包括光刻胶、二氧化硅、氮化硅和铝。Xactix X4 系统使用方便、可靠且安全，是用于释放 MEMS 器件的领先 XeF2 蚀刻系统。Xactix X4 系统采用已获专利的双膨胀腔体设计，可实现高蚀刻速率。同时，它还可实现较高的 XeF2 气流和压力，而无需被载气稀释。该系统提供脉冲式和连续流蚀刻工艺。基于膨胀腔体的独家设计有助于实现精确、可重复的脉冲压力，且易于将 XeF2 与其他气体混合。可定制的腔体尺寸可与晶圆尺寸相匹配，从而实现最高的蚀刻速率、均匀性和效率。

Xactix® e2

适用于研发的台式 XeF2 气相蚀刻系统

对于寻求低成本台式研发蚀刻系统的用户，Xactix® e2 二氟化氙 (XeF2) 蚀刻系统是理想的解决方案。使用 XeF2 对硅进行各向同性蚀刻是释放 MEMS 或光子器件的理想解决方案。XeF2 对硅的选择性高于几乎所有标准半导体材料，其中包括光刻胶、二氧化硅、氮化硅和铝。工艺灵活性是实现成功研发的关键所在，而 Xactix® e2 系统可提供最丰富的工艺选项。e2 易于使用、拥有成本低、占地面积小且具备出色的工艺灵活性。

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