- 晶片尺寸 = 300 毫米
- 径向对称气流，确保晶片内晶片 (WIW) 卓越的一致性
- 通用腔室硬件，适用于各种薄膜类型
- 在单个 PECVD 腔室中进行叠层沉积
- 混合频率等离子体，可实现应力调谐
- 主动台盘冷却，适用于重要低温 [<175°C] 封装应用
产品类别
SPTS Osprey® PECVD
面向先进封装的等离子体增强化学气相沉积
对于先进封装应用，SPTS Osprey® PECVD 系统提供与 300 毫米键合基底和模具兼容的低温沉积工艺。Osprey PECVD 可在低至 125°C 的沉积温度下形成经过生产验证的优质电介质薄膜。SiN – SiO 叠层可以沉积到同一 PECVD 腔室中，随着时间推移，具有高度可靠的电气性能和稳定性。薄膜和叠层应力可在广泛的范围内调整，与 PECVD 系统竞品相比，经过优化的腔室硬件最大限度地减小了晶片内的应力范围。可根据需求提供单晶片和多晶片脱气选项，用于加热脱气基底并提高沉积薄膜质量。经过优化的 SiO、TEOS SiO、SiCN 和其他先进电介质薄膜可用于混合键合以及芯片间隙填充应用。
- 用于混合键合的 SiCN 薄膜
- 用于芯片间隙填充的 SiO 厚膜
- 通孔暴露钝化
- 带翘曲补偿的低温背面薄膜
- 后硅通孔保护层
SPTS Sigma® PVD
物理气相沉积系统
物理气相沉积 (PVD) 是一种薄膜工艺，它可在晶圆表面生成导电、半导体或绝缘材料涂层。PVD 有多种不同形式：溅射、蒸发、离子束沉积。KLA 提供基于溅射技术的各种产品。在溅射工艺中，“靶”负责提供源材料，而来自等离子体的离子会在工艺腔体中轰击该源材料。源材料的原子会被喷射或溅射到等离子体中，此时可能发生也可能不发生反应（具体取决于工艺气体混合物），然后这些原子会凝结到晶圆表面。SPTS Sigma® PVD 系统支持 100mm 至 300mm 的晶圆尺寸，而 fxP 集群平台则会根据具体工艺要求集成不同形式的预处理和沉积技术。
Std PVD
- FO-WLP 和 Si UBM/RDL 铜种
- Al 互连金属化
- 薄晶圆背面金属
- 压电 AlN/AlScN 和电极
Hi-Fill
- 背面通孔种
- 钨塞衬垫/阻挡层
Advanced Hi-Fill
- TSV 铜阻挡层/铜种
- 钨塞衬垫/阻挡层
Inspira
- UBM/RDL 铜种
- 薄晶圆背面金属
SPTS Delta™ PECVD
等离子体增强化学气相沉积系统
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是一种在低于 400°C 的温度下利用等离子体内的能量加速晶片表面化学反应以形成薄膜的工艺。可利用沉积期间的高能离子轰击调整薄膜的电气和机械特性。SPTS Delta™ PECVD 系统广泛应用于射频器件、功率器件、光子器件和微机电系统市场，尤其是需要低加工温度的应用。Delta™ fxP 集群系统为各种电介质薄膜提供全面的工艺库，沉积温度从 80°C 到 400°C 不等。该系统还为敏感基底脱气提供单晶片和多晶片预热室选项，并为晶片背面沉积提供边缘触点处理功能。
- 面向功率器件的 SiN 钝化，提供低功耗、低损伤氮化镓选项
- 用于翘曲补偿的大应力范围低温背面薄膜
- 面向 MIM 电容器和砷化镓器件的高度均匀 SiN 钝化。
- 面向有源和无源光子器件的调谐折射率掺杂薄膜
- 键合层电介质
- 层间电介质
MVD100E
适用于研发的分子气相沉积 (MVD®) 系统
MVD100E 分子气相沉积系统是 KLA 用于研发或试产的指定工具。较之传统液相沉积技术，MVD 工艺能以更高的良率和更低的成本来生产超薄有机与无机薄膜。MVD® 现已在需要防潮层、防腐涂层或压印脱模层的应用中得到越来越广泛的使用。MVD100E 系统专为满足最严苛应用的高性能、高灵活性和高可靠性而设计。企业和学术研究实验室称其为最全面、最可靠的设备。
- 单基板或小批量加工
- 200mm 晶圆
- 提供托盘或机架上的组件
- 腔体体积小，支持快速处理
- 顶部开口，便于维护和清洁
- 超低拥有成本—前体消耗低、利用率高
- 具备集成式等离子表面处理和腔体清洁能力
- 提供自动化处理顺序例程
- 丰富的自诊断和数据记录功能
- 卓越的可靠性
- 支持 MVD 和 ALD
MVD300/300E
适用于批量生产的分子气相沉积 (MVD®) 系统
MVD300® 分子气相沉积系统（以及配备了用于实现全自动化的 EFEM 的 MVD300E 系统）专为满足最严苛的批量生产应用而设计，从而实现高性能、高灵活性和高可靠性。较之传统液相沉积技术，MVD 工艺能以更高的良率和更低的成本来生产超薄有机与无机薄膜。MVD 可用于众多不断增长的应用场景，其中包括在 MEMS 设备上沉积抗粘连和防腐薄膜。
- 批处理可实现高吞吐量和较小占地面积
- 200mm 晶圆（可使用 Pod 装载机或 EFEM）
- 300mm 晶圆（启用 EFEM）
- 提供胶带框架上的单晶芯片
- 提供托盘上的组件
- 可提供定制基板固定装置
- 超低拥有成本—前体消耗低、利用率高
- 多达 4 个前导
- 集成式等离子表面处理和腔体清洁功能
- 提供自动化处理顺序例程
- 丰富的自诊断和数据记录功能
- 卓越的可靠性
- 支持 MVD 和 ALD
MVD4500
适用于面板和大型基板的分子气相沉积 (MVD®) 系统
MVD4500 分子气相沉积系统是我们用于 MVD 工艺的面板和大型基板工具。MVD 工艺可生产超薄有机和无机薄膜，它适用于需要防潮层、防腐涂层或压印脱模层的各项应用。MVD4500 系统可处理尺寸高达 930mm x 720mm 的多种基材，同时它还是唯一能在此尺寸范围内的基板上执行 ALD 和 MVD 的批量处理工具。该系统专为满足最严苛大批量制造应用的高性能、高灵活性和高可靠性而设计。
- 批处理可实现高吞吐量和较小占地面积
- 第 4.5 代基材标准—玻璃、聚合物板、金属
- 同时还能处理以下所有基材尺寸
- 提供托盘或机架上的组件
- 可提供定制基板固定装置
- 两个工具可进行堆叠以尽可能减小占地面积
- 提供可切换 GUI/键盘，方便操作员使用
- 超低拥有成本—前体消耗低、利用率高
- 多达 4 个前体
- 集成式等离子表面处理和腔体清洁功能
- 提供自动化处理顺序例程
- 丰富的自诊断和数据记录功能
- 卓越的可靠性
- 支持 MVD 和 ALD
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